发明公开
CN101314183A 强磁场诱导合成单晶铋纳米线的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 强磁场诱导合成单晶铋纳米线的方法
- 专利标题(英): Method for synthesizing monocrystal bismuth nano-wire with intense magnetic field abduction
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申请号: CN200810036378.1申请日: 2008-04-21
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公开(公告)号: CN101314183A公开(公告)日: 2008-12-03
- 发明人: 任忠鸣 , 任维丽 , 徐永斌 , 邓康 , 钟云波
- 申请人: 上海大学
- 申请人地址: 上海市宝山区上大路149号
- 专利权人: 上海大学
- 当前专利权人: 上海大学
- 当前专利权人地址: 上海市宝山区上大路149号
- 代理机构: 上海上大专利事务所
- 代理商 顾勇华
- 主分类号: B22F9/24
- IPC分类号: B22F9/24 ; C22B30/06 ; C30B29/02 ; C30B7/14
摘要:
该发明是一种通过在磁场下溶剂热合成单晶铋纳米线的方法。利用磁场诱导各向异性生长的特性,通过铋酸钠和乙二醇之间的多羟基还原反应获得单晶铋纳米线。整个反应过程在磁场下进行,合成得到的Bi纳米线直径40纳米,长度10-50微米。本方法简便、安全、可重复性高、产量高、产物结晶性好,合成得到的铋纳米线可广泛应用于物理,化学,材料,微电子等领域。本发明也为不利于长成纳米线的材料提供了一种新的思路和手段。
公开/授权文献
- CN101314183B 强磁场诱导合成单晶铋纳米线的方法 公开/授权日:2011-02-02