发明授权
CN101329375B 低温高压下样品的介电常数和介电损耗测量装置及方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 低温高压下样品的介电常数和介电损耗测量装置及方法
- 专利标题(英): Device and method for measuring dielectric constant and dielectric loss of sample under low temperature and high voltage
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申请号: CN200810117329.0申请日: 2008-07-29
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公开(公告)号: CN101329375B公开(公告)日: 2010-06-23
- 发明人: 朱金龙 , 李凤英 , 靳常青
- 申请人: 中国科学院物理研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 代理机构: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 尹振启
- 主分类号: G01R27/26
- IPC分类号: G01R27/26 ; G01N27/82
摘要:
本发明公开了低温高压下样品的介电常数和介电损耗测量装置及方法,所述测量装置包括压力胞、铍铜活塞式压机、变温系统、数据采集系统和数据处理系统,本发明采用所述测量装置测量低温高压下样品的介电常数和介电损耗的方法,具体为铍铜活塞式压机向压力胞施加准静水压力,调节变温系统和介电性能测试装置,通过测温装置和介电性能测试装置采集样品的温度变化和频率变化下样品的电容和介电损耗,最后经过PC机的处理实现变化频率和变化温度扫描曲线测量,本发明在改变温度的同时改变测量介电常数的频率,实现变化频率和变化温度扫描曲线测量,通过改变外部施加的准静水压力,可研究静水压力对铁电样品的介电性质的影响。
公开/授权文献
- CN101329375A 低温高压下样品的介电常数和介电损耗测量装置及方法 公开/授权日:2008-12-24