Invention Grant
- Patent Title: 优化存储器的写入和磨损性能
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Application No.: CN200680047384.6Application Date: 2006-12-18
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Publication No.: CN101331463BPublication Date: 2012-02-08
- Inventor: M·R·福特恩 , R·L·莱伊诺尔
- Applicant: 微软公司
- Applicant Address: 美国华盛顿州
- Assignee: 微软公司
- Current Assignee: 微软技术许可有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国华盛顿州
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 陈斌
- Priority: 11/303,382 2005.12.16 US
- International Application: PCT/US2006/048402 2006.12.18
- International Announcement: WO2007/075668 EN 2007.07.05
- Date entered country: 2008-06-16
- Main IPC: G06F12/02
- IPC: G06F12/02 ; G06F12/08
Abstract:
确定并使用要从高速存储器传送到低速存储器的理想长度的存储器可以导致对低速存储器的更快保存以及低速存储器的更长的寿命。
Public/Granted literature
- CN101331463A 优化存储器的写入和磨损性能 Public/Granted day:2008-12-24
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