发明授权
- 专利标题: 高温分离法生产高纯度硅的方法
- 专利标题(英): Process for producing high-purity silicon by high-temperature separation method
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申请号: CN200710018162.8申请日: 2007-06-29
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公开(公告)号: CN101332993B公开(公告)日: 2011-02-09
- 发明人: 蔡华宪
- 申请人: 商南中剑实业有限责任公司
- 申请人地址: 陕西省商南县英武沟
- 专利权人: 商南中剑实业有限责任公司
- 当前专利权人: 商南中剑实业有限责任公司
- 当前专利权人地址: 陕西省商南县英武沟
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 徐秦中; 王少文
- 主分类号: C01B33/021
- IPC分类号: C01B33/021
摘要:
本发明涉及一种高纯度硅的生产方法,包括以下步骤:准备硅溶液,除渣,二次除渣,定向凝固分离;本发明解决了现有高纯度硅生产方法工艺过程复杂,能源消耗大,无法大规模工业生产的技术问题,具有生产工艺简单、能量损耗小、杂质含量少,高纯度硅的纯度高、消除了炉底上涨现象、反应速度快、炉体结构简单、对现有生产设备的改进很少的优点。
公开/授权文献
- CN101332993A 高温分离法生产高纯度硅的方法 公开/授权日:2008-12-31