发明授权
CN101339934B 具有焊接引线的半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 具有焊接引线的半导体器件及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device with welded leads and method of manufacturing the same
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申请号: CN200810135608.X申请日: 2008-07-07
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公开(公告)号: CN101339934B公开(公告)日: 2011-04-27
- 发明人: 田中壮和 , 高桥康平
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 陆锦华; 黄启行
- 优先权: 2007-176829 2007.07.05 JP
- 主分类号: H01L23/488
- IPC分类号: H01L23/488 ; H01L21/60
摘要:
一种用于防止对半导体芯片的机械和热损伤的半导体器件及制造方法。激光束将形成于第一外引线上的第一连接焊盘焊接到形成于半导体芯片表面上的第一电极上。第一连接孔形成在第一连接焊盘中,且第一连接孔与第一连接电极交叠。激光束照射包括第一连接孔的区域,并且第一连接孔周围的部分中的第一连接焊盘熔融形成熔融部,其焊接到第一连接电极上而容易形成具有更优良电特性的半导体器件。
公开/授权文献
- CN101339934A 具有焊接引线的半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2009-01-07
IPC分类: