硅多结太阳能电池及其制备方法

发明授权

CN101350377B 硅多结太阳能电池及其制备方法失效 - 权利终止转让

请登陆查看更多内容

专利标题： 硅多结太阳能电池及其制备方法
专利标题（英）： Silicon multi-solar cell and method for its manufacture
申请号： CN200810137757.X

申请日： 2008-07-18
公开(公告)号： CN101350377B

公开(公告)日： 2012-06-13
发明人: W·弗拉梅尔斯贝格尔 , P·莱希纳
申请人： 肖特太阳能股份公司
申请人地址： 德国美因茨
专利权人： 肖特太阳能股份公司
当前专利权人： 肖特太阳能股份公司
当前专利权人地址： 德国美因茨
代理机构： 永新专利商标代理有限公司
代理商 程大军
优先权： 102007033444.5 2007.07.18 DE
主分类号： H01L31/076
IPC分类号： H01L31/076

摘要：

硅多结太阳能电池，其具有至少两个子电池(1，2)，每个子电池具有p-型层(p1，p2)、本征层(i1，i2)和磷掺杂的n-型层(n1，n2)。与置于其前的子电池(1)的n-型层(n1)接触的p-型层(p2)被构造为至少部分纳米-或微晶的。

摘要（英）：

A silicon multiple solar cell has at least two subcells (1, 2) each having a p-type layer (p1, p2), an intrinsic layer (i1, i2) and a phosphorus-doped n-type layer (n1, n2). The p-type layer (p2) which is in contact with the n-type layer (n1) of the subcell (1) disposed therebefore is configured to be at least partly nano- or microcrystalline.

公开/授权文献

CN101350377A 硅多结太阳能电池及其制备方法公开/授权日：2009-01-21

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/04	.用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）
H01L31/06	..以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒为特征的
H01L31/075	...只是PIN型势垒的，例如非晶硅PIN太阳能电池
H01L31/076	....多结或叠层太阳能电池