发明授权
CN101350384B 具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺
失效 - 权利终止
- 专利标题: 具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺
- 专利标题(英): LED chip capable of improving light-discharging rate and preparation technique thereof
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申请号: CN200710044095.7申请日: 2007-07-20
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公开(公告)号: CN101350384B公开(公告)日: 2010-05-19
- 发明人: 郝茂盛 , 邵春林
- 申请人: 上海宇体光电有限公司
- 申请人地址: 上海市肇嘉浜路789号17楼D座
- 专利权人: 上海宇体光电有限公司
- 当前专利权人: 上海宇体光电有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市肇嘉浜路789号17楼D座
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张政权
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00
摘要:
本发明介绍了具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺。根据本发明,具有第一导电类型的第一半导体材料层、活性发光层、第二导电类型的第二半导体材料层、以及分别设置于第一和第二半导体材料层上的第一和第二电极构成了LED芯片。其中,第二电极由透明电极和位于透明电极局部的第一加厚电极组成,而第一电极处在LED芯片的非几何边缘位置,并且被所述透明电极所环绕。
公开/授权文献
- CN101350384A 具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺 公开/授权日:2009-01-21
IPC分类: