• Patent Title: 复合氧化物膜及其制造方法,复合体及其制造方法、介电材料、压电材料、电容器和电子设备
  • Patent Title (English): Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor and electronic device
  • Application No.: CN200680049711.1
    Application Date: 2006-12-27
  • Publication No.: CN101351406A
    Publication Date: 2009-01-21
  • Inventor: 白川彰彦
  • Applicant: 昭和电工株式会社
  • Applicant Address: 日本东京都
  • Assignee: 昭和电工株式会社
  • Current Assignee: 昭和电工株式会社
  • Current Assignee Address: 日本东京都
  • Agency: 北京市中咨律师事务所
  • Agent 段承恩; 田欣
  • Priority: 377038/2005 2005.12.28 JP
  • International Application: PCT/JP2006/326090 2006.12.27
  • International Announcement: WO2007/074875 JA 2007.07.05
  • Date entered country: 2008-06-27
  • Main IPC: C01G23/00
  • IPC: C01G23/00 H01G9/04 H01G4/12 H01L41/24 H01G4/30
复合氧化物膜及其制造方法,复合体及其制造方法、介电材料、压电材料、电容器和电子设备
Abstract:
本发明的目的是不使用复杂而庞大的设备,提供相对介电常数高、膜厚可任意地控制、电容量的温度依赖性小的复合氧化物膜及其制造方法、包含该复合氧化物膜的复合体及其制造方法、包含上述复合氧化物膜或复合体的介电材料或压电材料、包含温度依赖性小的复合氧化物膜的电容器或压电元件以及具备它的电子设备。通过采用阳极氧化等方法在基体表面形成含有钛元素金属氧化物层,接着使含有钙离子的溶液与该金属氧化物层进行反应,可以得到含有钛元素和钙元素的复合氧化物膜。进而可以得到包含具有该复合氧化物膜的复合体作为介电材料的电容器、和包含具有该复合氧化物膜的复合体作为压电材料的压电元件。
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