发明公开
CN101363903A 一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器
- 专利标题(英): Magnetic field sensor utilizing ferromagnetic nanometer ring strong magnetic resistance effect
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申请号: CN200810222312.1申请日: 2008-09-16
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公开(公告)号: CN101363903A公开(公告)日: 2009-02-11
- 发明人: 潘礼庆 , 向睿 , 阴津华 , 徐美 , 黄筱玲 , 田跃 , 侯志坚 , 邱红梅 , 赵雪丹 , 秦良强 , 王凤平
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 主分类号: G01R33/09
- IPC分类号: G01R33/09
摘要:
本发明提供了一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器,属于磁性纳米传感器技术领域。该传感器由在基片上制备的纳米尺寸的铁磁性纳米环以及一组引线组成,在环的两端连接的这组引线同时作为恒流源接线和电压测量接线,铁磁性纳米环的外径D的范围在7纳米到10微米之间,内径d小于外径D,环宽范围在5纳米到1微米之间,纳米环的厚度在1纳米到500纳米之间。该传感器利用铁磁性纳米环在外磁场作用下,其电阻的巨大变化来探测外磁场的变化,制作非常简单,输出信号大,响应快速,特别适合于检测磁场变化的阈值,在磁场转变点的磁场灵敏度极高,可达2-10%/Oe或更高,同时该传感器还可作为磁存储单元。
公开/授权文献
- CN101363903B 一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器 公开/授权日:2011-05-18