Invention Grant
- Patent Title: 金属制程工艺中凹陷现象的测试结构及方法
- Patent Title (English): Test structure and method for sunken phenomena of metal procedure technique
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Application No.: CN200710045075.1Application Date: 2007-08-21
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Publication No.: CN101373756BPublication Date: 2010-09-29
- Inventor: 陈强 , 郭志蓉 , 梁山安 , 章鸣
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 陆嘉
- Main IPC: H01L23/544
- IPC: H01L23/544 ; H01L21/66
Abstract:
本发明揭示了一种金属制程工艺中凹陷现象的测试结构,其中待测金属层依次排列;该结构包括第一测试片,延伸出包括数个分支的第一测试导线;第二测试片,延伸出包括数个分支的第二测试导线;第二测试导线还连接到第三测试片;在第一测试片和第二测试片之间施加电压,根据测得的电流的大小测试是否存在引起桥接的凹陷现象;以及在第二测试片和第三测试片之间施加电压,根据测得的电阻的大小测试是否存在不足以引起桥接的凹陷现象。采用本发明的技术方案,能够方便地测试是否在金属层中存在金属凹陷的现象,以及是否存在严重到产生桥接的金属凹陷的现象。从而可以进行及时地修正,避免由于凹陷现象而产生的器件损坏。
Public/Granted literature
- CN101373756A 金属制程工艺中凹陷现象的测试结构及方法 Public/Granted day:2009-02-25
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IPC分类: