发明授权
- 专利标题： 纳米级电子开关器件的控制层
- 专利标题（英）： Control layer for a nanoscale electronic switching device
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申请号： CN200680043420.1申请日： 2006-11-08
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公开(公告)号： CN101375343B公开(公告)日： 2013-03-20
- 发明人: D·斯图尔特 , D·A·奥尔伯格 , R·S·威廉斯 , P·J·屈克斯
- 申请人： 惠普开发有限公司
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 惠普开发有限公司
- 当前专利权人： 慧与发展有限责任合伙企业
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 赵苏林; 韦欣华
- 优先权： 11/287,113 2005.11.23 US
- 国际申请： PCT/US2006/043687 2006.11.08
- 国际公布： WO2008/054400 EN 2008.05.08
- 进入国家日期： 2008-05-21
- 主分类号： G11C13/02
- IPC分类号： G11C13/02
摘要：
公开了一种用于纳米级电子控制器件(10)的接点内的控制层(26，26’，28，28’，28”)。该控制层(26，26’，28，28’，28”)包括与纳米级开关器件(10)中的一连接层(16)和至少一电极(12，14)化学兼容的材料。该控制层(26，26’，28，28’，28”)经调整可控制器件(10)操作期间电化学反应途径，电物理反应途径，以及它们的组合中的至少一种。
公开/授权文献
- CN101375343A 纳米级电子开关器件的控制层 公开/授权日：2009-02-25