Invention Grant
- Patent Title: 存储装置、存储介质以及存储介质的制造方法
- Patent Title (English): Storage device, storage medium, and method for manufacturing storage medium
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Application No.: CN200810212622.5Application Date: 2008-08-25
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Publication No.: CN101377929BPublication Date: 2011-04-13
- Inventor: 冈田诚 , 山川荣进 , 水户部善弘
- Applicant: 昭和电工株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 昭和电工株式会社
- Current Assignee: 昭和电工株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
- Agent 黄纶伟
- Priority: 2007-220207 2007.08.27 JP
- Main IPC: G11B5/725
- IPC: G11B5/725 ; G11B5/60 ; G11B5/84
Abstract:
存储装置、存储介质以及存储介质的制造方法。根据一个实施方式的一个方面,一种存储装置包括存储介质,该存储介质具有基板、存储信息的存储介质层、在该存储介质层的第一区域上的第一润滑层,以及在该存储介质层的第二区域上的第二润滑层,该第二润滑层的粘度低于第一润滑层。该存储装置还包括用于将信息写入存储介质层或从存储介质层读取信息的读写头。
Public/Granted literature
- CN101377929A 存储装置、存储介质以及存储介质的制造方法 Public/Granted day:2009-03-04
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IPC分类: