发明授权
CN101383258B 表面传导场发射电子源导电膜的结构
失效 - 权利终止
- 专利标题: 表面传导场发射电子源导电膜的结构
- 专利标题(英): Construction of surface conductive field emission electronic source conductive film
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申请号: CN200810231843.7申请日: 2008-10-22
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公开(公告)号: CN101383258B公开(公告)日: 2010-11-10
- 发明人: 胡文波 , 吴胜利 , 刘纯亮 , 张劲涛 , 王文江 , 孙永亮
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市咸宁路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市咸宁路28号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 陈翠兰
- 主分类号: H01J29/04
- IPC分类号: H01J29/04 ; H01J1/304
摘要:
本发明公开了一种表面传导场发射电子源导电膜的结构,即电子源的导电膜由氧化钯(PdO)膜与非晶碳膜形成的多层复合膜构成,利用氧化钯膜具有的良好的电子发射稳定性及非晶碳膜具有的较低的有效功函数、大的载流子迁移率、高的击穿电压、宽的禁带宽度及高的热传导系数,以改进导电膜的电子发射性能,从而提高场发射电子源的发射电流密度及电子发射率。
公开/授权文献
- CN101383258A 表面传导场发射电子源导电膜的结构 公开/授权日:2009-03-11