发明授权
CN101388250B 闪存装置的编程方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 闪存装置的编程方法
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申请号： CN200810074090.3申请日： 2008-02-21
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公开(公告)号： CN101388250B公开(公告)日： 2012-02-08
- 发明人: 李熙烈
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 钱大勇
- 优先权： 91529/07 2007.09.10 KR
- 主分类号： G11C16/10
- IPC分类号： G11C16/10
摘要：
在导通串内的存储单元，以电连接沟道区域的闪存装置的编程方法中，通过将地电压施加于连接至包括将要被编程的单元的第一串的第一位线，均匀地为第二串内的所有的沟道区域预先充电，并将编程禁止电压施加于连接至包括编程禁止单元的第二串的第二位线。如果执行编程操作，则在包括编程禁止单元的第二串内的沟道区域中出现沟道升压。相应地，能够增加沟道升压电压，并且能够防止在其中编程禁止单元的阈值电压改变的编程扰动现象。
公开/授权文献
- CN101388250A 闪存装置的编程方法 公开/授权日：2009-03-18
