Invention Publication
- Patent Title: 二次电池用负极及其制造方法、以及二次电池
- Patent Title (English): Anode for secondary battery, its manufacturing method and secondary battery
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Application No.: CN200810094948.2Application Date: 2008-04-30
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Publication No.: CN101388450APublication Date: 2009-03-18
- Inventor: 小西池勇 , 川濑贤一
- Applicant: 索尼株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 索尼株式会社
- Current Assignee: 株式会社东北村田制作所
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 郭放
- Priority: 2007-236646 2007.09.12 JP
- Main IPC: H01M4/02
- IPC: H01M4/02 ; H01M4/04 ; H01M10/40

Abstract:
提供一种适合于锂离子二次电池等的,高容量且充放电循环特性优异、不可逆容量的发生少的二次电池用负极。设置在负极集电体上的负极活性物质层中的硅具有局部有序性的程度低的非晶结构。在设因横波光学声子产生的散射而出现在偏移位置480cm-1附近上的散射峰的强度为TO、因纵波声学声子引起的散射而出现在偏移位置300cm-1附近的散射峰的强度为LA、因纵波光学声子产生的散射而出现在偏移位置400cm-1附近的散射峰的强度为LO时,该非晶结构的初次充放电后的拉曼光谱满足以下的关系:0.25≤LA/TO和/或0.45≤LO/TO。
Public/Granted literature
- CN101388450B 二次电池用负极以及二次电池 Public/Granted day:2011-05-11
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