发明授权
- 专利标题: 一种电波暗室引入高压的方法
- 专利标题(英): Method for introducing high voltage in anechoic chamber
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申请号: CN200810197266.4申请日: 2008-10-15
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公开(公告)号: CN101389207B公开(公告)日: 2010-08-11
- 发明人: 邬雄 , 张小武 , 张建功 , 万保权 , 张广洲
- 申请人: 国网电力科学研究院
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞瑜路143号
- 专利权人: 国网电力科学研究院
- 当前专利权人: 国网电力科学研究院,申请人
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞瑜路143号
- 代理机构: 武汉开元知识产权代理有限公司
- 代理商 潘杰
- 主分类号: H05K9/00
- IPC分类号: H05K9/00 ; H02G3/22
摘要:
本发明涉及一种电波暗室引入高压的方法,其方法是:首先根据引入电压等级确定电波暗室的尺寸和高压引入方式,然后设计高压引入连接接口,以保证电波暗室性能和高压引入的安全,最后将高压引入电波暗室中。本发明是一种安全可靠、简单实用的向电波暗室引入高压的方法,通过本发明引入高压、可以获得开展输电工程无线电干扰研究的理想场所。
公开/授权文献
- CN101389207A 一种电波暗室引入高压的方法 公开/授权日:2009-03-18