Invention Grant
- Patent Title: 铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法
- Patent Title (English): Cu-In-Ga-Se or Cu-In-Al-Se solar cell absorption layer target material and preparation method thereof
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Application No.: CN200810225482.5Application Date: 2008-11-03
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Publication No.: CN101397647BPublication Date: 2011-08-17
- Inventor: 庄大明 , 张弓 , 张宁 , 元金石 , 李春雷 , 宋军
- Applicant: 清华大学 , 张家港保税区华冠光电技术有限公司
- Applicant Address: 北京市100084-82信箱
- Assignee: 清华大学,张家港保税区华冠光电技术有限公司
- Current Assignee: 清华大学,张家港保税区华冠光电技术有限公司
- Current Assignee Address: 北京市100084-82信箱
- Agency: 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- Agent 史双元
- Main IPC: C23C14/06
- IPC: C23C14/06 ; C23C14/34 ; B22F3/12
Abstract:
本发明公开了属于光电功能材料领域的一种铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法。是按照CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2太阳能电池吸收层的化学计量比将高纯度硒化亚铜粉末、硒化铟粉末、硒化镓粉末或硒化铝粉末充分混合均匀后,在保护气氛中热压烧结成型,或者经过冷压成型或冷等静压成型制成素坯,然后将素坯在保护气氛中施加一定的压力烧结或者不加压烧结。本发明工艺简便、效率高、成本低,所制成的溅射靶材成分均匀,具有均一的CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2相,相对密度达到90%以上,性能稳定。本发明主要用于铜铟镓硒和铜铟铝硒太阳能薄膜电池吸收层的制备。
Public/Granted literature
- CN101397647A 铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法 Public/Granted day:2009-04-01
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