Invention Grant
- Patent Title: 包括p掺杂有机半导体的电子元件
- Patent Title (English): Electronic component comprising a p-doped organic semiconductor
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Application No.: CN200780007117.0Application Date: 2007-02-28
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Publication No.: CN101405890BPublication Date: 2011-02-09
- Inventor: 穆罕麦德·本卡利法 , 戴维·沃弗里
- Applicant: 原子能委员会
- Applicant Address: 法国巴黎
- Assignee: 原子能委员会
- Current Assignee: 原子能委员会
- Current Assignee Address: 法国巴黎
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 陶凤波
- Priority: 0650683 2006.02.28 FR
- International Application: PCT/FR2007/000363 2007.02.28
- International Announcement: WO2007/099229 FR 2007.09.07
- Date entered country: 2008-08-28
- Main IPC: H01L51/52
- IPC: H01L51/52
Abstract:
本发明涉及一种有机发光二极管,其包括p掺杂层(3),所述p掺杂层(3)包括基于小分子的有机半导体材料,掺杂剂选自由硼、碳、硅、钴、镍、铜、锗、铑、钯形成的组。本发明消除了与常用有机受主掺杂剂有关的任何毒性问题。
Public/Granted literature
- CN101405890A 包括p掺杂有机半导体的电子元件 Public/Granted day:2009-04-08
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