发明授权
CN101407867B 复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法
- 专利标题(英): Preparation of composite type light high-strength nickel-titanium memory alloy-based high damping material
-
申请号: CN200810219443.4申请日: 2008-11-26
-
公开(公告)号: CN101407867B公开(公告)日: 2010-12-29
- 发明人: 张新平 , 李大圣 , 熊志鹏
- 申请人: 华南理工大学
- 申请人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 专利权人: 华南理工大学
- 当前专利权人: 华南理工大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 代理机构: 广州市华学知识产权代理有限公司
- 代理商 李卫东
- 主分类号: C22C1/04
- IPC分类号: C22C1/04 ; C22C1/08 ; C22C19/03
摘要:
本发明公开了一种复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法。本方法以粉末烧结法为基础并辅以无压熔渗技术,先采用预造孔技术,利用单元金属粉末梯级烧结法制备出孔隙均匀分布的多孔镍钛记忆合金,再采用无压熔渗技术向多孔镍钛记忆合金中引入高本征阻尼、低密度、微米尺度的纯镁或镁合金相,从而制得阻尼调控相为镁或镁合金的高阻尼镁(或镁合金)/镍钛记忆合金基复合材料。按照本发明制备的复合型镍钛合金仍具有形状记忆效应和超弹性行为,并具有比致密镍钛记忆合金质量轻、比普通多孔镍钛记忆合金更优异的强度和阻尼能力;本发明工艺适应性好,制备过程简单、成本低,可用于轻质、高强复合阻尼材料以及阻尼结构和器件的制造。
公开/授权文献
- CN101407867A 复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法 公开/授权日:2009-04-15