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可调节的芯片上子电容器设计
Abstract:
一个或多个芯片上VNCAP或MIMCAP(310、312)电容器利用可变MOS电容器(340)来改善电容器的电容值一致性。这允许制造硅半导体芯片(302),其上装配有电容值被精确地调节在其设计值的约1%和5%之间的范围内的电容器。这种优化可以通过利用用于DC去耦合的一对可变MOS电容器之间的背对背连接来实现。其涉及通过在FEOL中插入背对背可变MOS电容器对的VNCAP和/或MIMCAP电容器的芯片上BEOL电容的并行化。
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