Invention Publication
- Patent Title: 可调节的芯片上子电容器设计
- Patent Title (English): Adjustable on-chip sub-capacitor design
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Application No.: CN200780010790.XApplication Date: 2007-04-03
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Publication No.: CN101410978APublication Date: 2009-04-15
- Inventor: 金钟海 , R·特兹辛斯基 , J-O·普鲁查特 , 金文柱
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 格芯公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 屠长存
- Priority: 11/436,249 2006.05.18 US
- International Application: PCT/EP2007/053235 2007.04.03
- International Announcement: WO2007/134904 EN 2007.11.29
- Date entered country: 2008-09-25
- Main IPC: H01L27/06
- IPC: H01L27/06 ; H01L27/08 ; H01L23/522

Abstract:
一个或多个芯片上VNCAP或MIMCAP(310、312)电容器利用可变MOS电容器(340)来改善电容器的电容值一致性。这允许制造硅半导体芯片(302),其上装配有电容值被精确地调节在其设计值的约1%和5%之间的范围内的电容器。这种优化可以通过利用用于DC去耦合的一对可变MOS电容器之间的背对背连接来实现。其涉及通过在FEOL中插入背对背可变MOS电容器对的VNCAP和/或MIMCAP电容器的芯片上BEOL电容的并行化。
Public/Granted literature
- CN101410978B 可调节的芯片上子电容器设计 Public/Granted day:2011-04-13
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IPC分类: