- 专利标题: 用于改进密封电子器件中的散热的方法以及密封电子器件
- 专利标题(英): Method for improving heat dissipation in encapsulated electronic components
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申请号: CN200480040654.1申请日: 2004-10-15
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公开(公告)号: CN101421920B公开(公告)日: 2011-08-10
- 发明人: 帕西·蒂克卡 , 埃德加·施米德哈默 , 哈博·海因策 , 赖纳·韦尔策 , 赫伯特·齐德克 , 安斯加·朔伊费勒 , 朱阿·埃拉
- 申请人: 诺基亚公司 , 埃普科斯股份有限公司
- 申请人地址: 芬兰埃斯波
- 专利权人: 诺基亚公司,埃普科斯股份有限公司
- 当前专利权人: 诺基亚公司,埃普科斯股份有限公司
- 当前专利权人地址: 芬兰埃斯波
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 冯谱
- 优先权: 10/769,460 2004.01.30 US
- 国际申请: PCT/IB2004/003383 2004.10.15
- 国际公布: WO2005/081618 EN 2005.09.09
- 进入国家日期: 2006-07-19
- 主分类号: H03H9/10
- IPC分类号: H03H9/10
摘要:
一种用于改进在通常被称作芯片尺寸的SAW封装的密封电子封装中的散热的方法。该封装包括制作在管芯上的一个或更多声波部件,该管芯布置在通过导电凸点分开的非导电载体上。封装的顶部被叠层和密闭密封层覆盖。通过去除叠层的一部分以及然后在封装上淀积一层导热材料,并且通过提供通过载体的一个或更多导热路径,可以改进散热。
公开/授权文献
- CN101421920A 用于改进密封电子部件中的散热的方法 公开/授权日:2009-04-29