发明授权
CN101428493B 一种在疏水性衬底上制备聚合物胶体晶体薄膜的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种在疏水性衬底上制备聚合物胶体晶体薄膜的方法
- 专利标题(英): Method for producing polymer colloid crystal film on hydrophobic substrate
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申请号: CN200810239629.6申请日: 2008-12-12
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公开(公告)号: CN101428493B公开(公告)日: 2011-08-17
- 发明人: 严清峰 , 余洁
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市100084-82信箱
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市100084-82信箱
- 代理机构: 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理商 童晓琳
- 主分类号: B32B37/14
- IPC分类号: B32B37/14 ; B32B38/16 ; C08J5/18
摘要:
本发明公开了属于胶体晶体的制备技术领域的一种在疏水性衬底上制备聚合物胶体晶体薄膜的方法。采用常规的垂直沉积法,将无皂乳液聚合法合成的聚合物胶体颗粒自组装生长在一亲水性衬底上,得到单分散聚合物胶体颗粒在该衬底表面上的二维或三维胶体晶体薄膜,采用一种膜剥离技术,可使这种二维或三维胶体晶体薄膜作为一个整体从亲水性衬底上完整地剥离下来并漂浮于水面,随后可以自由地转移到任何疏水性衬底表面。本发明成本低,效率高,工艺简单,可以大大拓展胶体晶体在光子晶体、微纳米加工、微光学透镜、传感、高密度磁存储器件等领域的应用。
公开/授权文献
- CN101428493A 一种在疏水性衬底上制备聚合物胶体晶体薄膜的方法 公开/授权日:2009-05-13