发明授权
CN101428803B 一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法及装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法及装置
- 专利标题(英): Method and apparatus for producing high purity polysilicon with high-purity metal silicon purification
-
申请号: CN200810230804.5申请日: 2008-11-10
-
公开(公告)号: CN101428803B公开(公告)日: 2011-02-02
- 发明人: 高文秀 , 赵百通 , 高永超
- 申请人: 高文秀
- 申请人地址: 上海市虹口区玉田路500号
- 专利权人: 高文秀
- 当前专利权人: 高文秀
- 当前专利权人地址: 上海市虹口区玉田路500号
- 代理机构: 郑州联科专利事务所
- 代理商 田小伍
- 主分类号: C01B33/037
- IPC分类号: C01B33/037 ; C30B29/06
摘要:
本发明涉及一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法,在高纯氩气的保护氛中,以石墨坩埚为正极、设于石墨坩埚中间的竖向石墨电极为负极,在所述石墨坩埚内壁与石墨电极外壁上上下错开设置水平格栅,加热石墨坩埚中的高纯金属硅至1650-1800℃产生硅蒸气,使硅蒸气上行经过格栅后冷却收集得到高纯多晶硅。本发明与传统提纯工艺相比,不仅大幅缩短了提纯工艺流程,而且工艺稳定、效率高,降低了太阳能电池的原料成本,得到的高纯多晶硅纯度稳定、一致性好;提纯设备的制造成本低,生产过程中也无排污,环保效益好。
公开/授权文献
- CN101428803A 一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法及装置 公开/授权日:2009-05-13