• 专利标题: 一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法及装置
  • 专利标题(英): Method and apparatus for producing high purity polysilicon with high-purity metal silicon purification
  • 申请号: CN200810230804.5
    申请日: 2008-11-10
  • 公开(公告)号: CN101428803B
    公开(公告)日: 2011-02-02
  • 发明人: 高文秀赵百通高永超
  • 申请人: 高文秀
  • 申请人地址: 上海市虹口区玉田路500号
  • 专利权人: 高文秀
  • 当前专利权人: 高文秀
  • 当前专利权人地址: 上海市虹口区玉田路500号
  • 代理机构: 郑州联科专利事务所
  • 代理商 田小伍
  • 主分类号: C01B33/037
  • IPC分类号: C01B33/037 C30B29/06
一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法及装置
摘要:
本发明涉及一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法,在高纯氩气的保护氛中,以石墨坩埚为正极、设于石墨坩埚中间的竖向石墨电极为负极,在所述石墨坩埚内壁与石墨电极外壁上上下错开设置水平格栅,加热石墨坩埚中的高纯金属硅至1650-1800℃产生硅蒸气,使硅蒸气上行经过格栅后冷却收集得到高纯多晶硅。本发明与传统提纯工艺相比,不仅大幅缩短了提纯工艺流程,而且工艺稳定、效率高,降低了太阳能电池的原料成本,得到的高纯多晶硅纯度稳定、一致性好;提纯设备的制造成本低,生产过程中也无排污,环保效益好。
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