发明授权
- 专利标题： 集成电路闪存器件及其擦除方法
- 专利标题（英）： Integrated circuit flash memory device and erase method thereof
-
申请号： CN200810128909.X申请日： 2008-06-18
-
公开(公告)号： CN101447229B公开(公告)日： 2014-05-28
- 发明人: 李昌炫 , 崔正达 , 崔炳仁
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 黄启行; 陆锦华
- 优先权： 11/968,753 2008.01.03 US; 10-2007-0081830 2007.08.14 KR
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; G11C16/12
摘要：
本公开提供集成电路闪存器件及其擦除方法。集成电路闪存器件，诸如NAND闪存器件，包括：普通闪存单元的阵列；虚闪存单元的阵列；以及擦除控制器。该擦除控制器被构造为：在该集成电路闪存器件的擦除操作期间，同时地向虚闪存单元施加与普通闪存单元不同的预定偏压。还公开了与其相关的方法。
公开/授权文献
- CN101447229A 集成电路闪存器件及其擦除方法 公开/授权日：2009-06-03
