发明授权
- 专利标题: 热电子源的制备方法
- 专利标题(英): Production method of thermoelectron source
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申请号: CN200710125673.X申请日: 2007-12-29
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公开(公告)号: CN101471215B公开(公告)日: 2011-11-09
- 发明人: 柳鹏 , 刘亮 , 姜开利 , 范守善
- 申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 主分类号: H01J9/02
- IPC分类号: H01J9/02 ; H01J1/13
摘要:
本发明涉及一种热电子源的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一基板,在该基板的表面间隔地形成一第一电极和一第二电极;形成一碳纳米管薄膜结构覆盖所述第一电极和第二电极作为热电子发射体,该碳纳米管薄膜结构至少部分通过所述第一电极和第二电极与所述基板间隔,从而得到一热电子源。
公开/授权文献
- CN101471215A 热电子源的制备方法 公开/授权日:2009-07-01