Invention Grant
- Patent Title: 光电检测半导体器件、光电检测器和图像显示装置
- Patent Title (English): Photodetection semiconductor device, photodetector, and image display device
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Application No.: CN200810190776.9Application Date: 2008-12-24
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Publication No.: CN101471352BPublication Date: 2013-05-22
- Inventor: 近江俊彦 , 中田太郎
- Applicant: 精工电子有限公司
- Applicant Address: 日本千叶县千叶市
- Assignee: 精工电子有限公司
- Current Assignee: 艾普凌科有限公司
- Current Assignee Address: 日本千叶县千叶市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 柯广华; 王丹昕
- Priority: 2007-332336 2007.12.25 JP
- Main IPC: H01L27/144
- IPC: H01L27/144 ; H01L23/552 ; G01J1/42 ; G09G5/10
Abstract:
透射待检测的光并且具有导电性的屏蔽设置在光电二极管(1和2)的光接收表面上，以防止光电二极管(1和2)由于从外部进入的电磁波而感生电荷。具有取决于光的波长的透光率的两种滤光件分别设置在光电二极管(1和2)的光接收表面上，从而取它们光谱特性之间的差。屏蔽和滤光件可由例如多晶硅或者给定导电类型的半导体薄膜来制成，并且可易于通过将那些制造工艺结合到半导体制造工艺中来制造。
Public/Granted literature
- CN101471352A 光电检测半导体器件、光电检测器和图像显示装置 Public/Granted day:2009-07-01
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IPC分类:
