用于形成屏蔽栅极沟槽FET的结构和方法

发明授权

CN101473443B 用于形成屏蔽栅极沟槽FET的结构和方法失效 - 权利终止

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专利标题： 用于形成屏蔽栅极沟槽FET的结构和方法
专利标题（英）： Structure and method for forming a shielded gate trench FET with the shield and gate electrodes being connected together
申请号： CN200780023013.9

申请日： 2007-05-21
公开(公告)号： CN101473443B

公开(公告)日： 2010-09-01
发明人: 内森·克拉夫特 , 克里斯多佛·博古斯洛·科库 , 保尔·托鲁普
申请人： 飞兆半导体公司
申请人地址： 美国缅因州
专利权人： 飞兆半导体公司
当前专利权人： 飞兆半导体公司
当前专利权人地址： 美国缅因州
代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
代理商 余刚; 吴孟秋
优先权： 11/471,279 2006.06.19 US
国际申请： PCT/US2007/069329 2007.05.21
国际公布： WO2007/149666 EN 2007.12.27
进入国家日期： 2008-12-19
主分类号： H01L29/76
IPC分类号： H01L29/76

摘要：

一种场效应晶体管(FET)包括延伸进入半导体区域的多个沟槽。每个沟槽包括栅极电极和屏蔽电极，其间含有极间电介质，其中，屏蔽电极和栅极电极电连接在一起。

摘要（英）：

A field effect transistor (FET) includes a plurality of trenches extending into a semiconductor region. Each trench includes a gate electrode and a shield electrode with an inter-electrode dielectric therebetween, wherein the shield electrode and the gate electrode are electrically connected together.

公开/授权文献

CN101473443A 用于形成屏蔽栅极沟槽FET的结构和方法公开/授权日：2009-07-01

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件