发明授权
CN101476161B 一种针状ZnSe半导体纳米晶的合成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种针状ZnSe半导体纳米晶的合成方法
- 专利标题(英): Method for synthesizing acicular ZnSe semiconductor nanocrystalline
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申请号: CN200810233748.0申请日: 2008-12-24
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公开(公告)号: CN101476161B公开(公告)日: 2011-06-22
- 发明人: 蒋峰芝 , 侯博 , 刘拥军 , 袁波
- 申请人: 云南大学
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区翠湖北路2号
- 专利权人: 云南大学
- 当前专利权人: 云南大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区翠湖北路2号
- 代理机构: 昆明科阳知识产权代理事务所
- 代理商 孙山明
- 主分类号: C30B29/48
- IPC分类号: C30B29/48 ; C30B29/62 ; C30B7/14 ; C30B30/06
摘要:
本发明属于一种纳米材料的合成方法,具体为一种针状ZnSe半导体纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下,将单质Se加热搅拌或超声溶于TOP中得到Se前体;在惰性气体保护下将锌源体与非配位溶剂十八烯和长链烷基胺搅拌混合得到Zn前体;先对Zn前体其进行“均一化”处理,然后在惰性气体保护下升温至合成反应温度(300-350℃);将Se前体快速加入Zn前体中,反应一定时间,得到针状ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心,最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物针状ZnSe纳米晶的透明溶液。该方法具有操作简单,环境污染小,结晶度好的优点。
公开/授权文献
- CN101476161A 一种针状ZnSe半导体纳米晶的合成方法 公开/授权日:2009-07-08
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