Invention Publication
- Patent Title: 多孔质绝缘膜的形成方法
- Patent Title (English): Method for forming porous insulating film
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Application No.: CN200780027766.7Application Date: 2007-07-23
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Publication No.: CN101495674APublication Date: 2009-07-29
- Inventor: 山本博规 , 伊藤文则 , 多田宗弘 , 林喜宏
- Applicant: 日本电气株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 日本电气株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- Agent 柳春雷; 南霆
- Priority: 199273/2006 2006.07.21 JP
- International Application: PCT/JP2007/064407 2007.07.23
- International Announcement: WO2008/010591 JA 2008.01.24
- Date entered country: 2009-01-21
- Main IPC: C23C16/42
- IPC: C23C16/42 ; H01L21/312 ; H01L21/314 ; H01L21/768 ; H01L23/522
Abstract:
一种形成多孔质绝缘膜的方法，使用具有3元SiO环状结构以及4元SiO环状结构的有机硅石的原料气体、或者具有3元SiO环状结构以及直链状有机硅石结构的有机硅石的原料气体，通过等离子体反应成膜。能够获得具有高强度、高粘合性的多孔质的层间绝缘膜。
Public/Granted literature
- CN101495674B 多孔质绝缘膜的形成方法 Public/Granted day:2013-07-17
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IPC分类:
