发明授权
- 专利标题: MOCVD设备内石墨基座的清洗方法
- 专利标题(英): Method for cleaning graphite base in MOCVD equipment
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申请号: CN200910114915.4申请日: 2009-02-09
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公开(公告)号: CN101502835B公开(公告)日: 2011-01-05
- 发明人: 刘军林 , 江风益 , 郑锐华
- 申请人: 晶能光电(江西)有限公司
- 申请人地址: 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号
- 专利权人: 晶能光电(江西)有限公司
- 当前专利权人: 晶能光电(江西)有限公司
- 当前专利权人地址: 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号
- 主分类号: B08B3/08
- IPC分类号: B08B3/08 ; B08B1/00 ; C23C16/18
摘要:
本发明公开了一种MOCVD设备内石墨基座的清洗方法,该方法用来清洗MOCVD设备的石墨基座,通过该方法可以彻底的将石墨基座清洗干净,特别是石墨基座表面的小坑内的附着物,而不破坏石墨基座的结构,从而起到延长石墨基座的使用寿命和提高MOCVD设备产能的作用。该方法包括以下步骤:煮酸:将石墨基座放入磷酸中煮,至石墨基座表面上的附着物被去除干净后取出,其中,所述煮酸步骤还包括刷去石墨基座表面的附着物;冲水:用热去离子水清洗煮好的石墨基座,去除石墨基座上的酸性物质;干燥:干燥石墨基座,至石墨基座上无水份,其中,所述干燥步骤包括用烘烤方式干燥石墨基座。本发明采用的是一种湿法处理的方式。
公开/授权文献
- CN101502835A MOCVD设备内石墨基座的清洗方法 公开/授权日:2009-08-12
IPC分类: