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CN101504967B 中心加热相变化存储器结构及其制造方法 有权

中心加热相变化存储器结构及其制造方法
摘要：
本发明公开了一种中心加热相变化存储器结构及其制造方法。一种存储装置，包含一底电极，及在该底电极之上包含一第一相变化材料的一第一相变化层。在该第一相变化层之上包含一加热材料的一电阻加热器。在该电阻加热层之上包含一第二相变化材料的一第二相变化层，以及在该第二相变化层之上的一顶电极。该加热材料具有一电阻率大于该第一及第二相变化材料的该最高电阻率。
摘要（英）：

Memory devices are described along with manufacturing methods. A memory device as described herein includes a bottom electrode and a first phase change layer comprising a first phase change material on the bottom electrode. A resistive heater comprising a heater material is on the first phase change material. A second phase change layer comprising a second phase change material is on the resistive heater, and a top electrode is on the second phase change layer. The heater material has a resistivity greater than the most highly resistive states of the first and second phase change materials.

公开/授权文献
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