金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法

发明授权

CN101510528B 金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法有权

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专利标题： 金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法
专利标题（英）： P-N junction diode structure of metal oxide semiconductor and method for producing the same
申请号： CN200910132565.4

申请日： 2009-04-02
公开(公告)号： CN101510528B

公开(公告)日： 2011-09-28
发明人: 赵国梁 , 郭鸿鑫 , 苏子川
申请人： 英属维京群岛商节能元件股份有限公司
申请人地址： 中国台湾台北
专利权人： 英属维京群岛商节能元件股份有限公司
当前专利权人： 英属维京群岛商节能元件股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾台北
代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
代理商 姜燕; 陈晨
主分类号： H01L21/8249
IPC分类号： H01L21/8249 ; H01L27/095

摘要：

一种金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法，该方法包含步骤：提供一基板；于基板上形成一第一掩模层；进行第一光刻蚀刻工艺，于基板上形成一沟渠结构；于沟渠结构内进行第一离子注入工艺；进行一第二光刻蚀刻工艺，形成一侧壁结构；于沟渠结构的底部与该侧壁结构上形成一第二掩模层；进行第三光刻蚀刻工艺，于沟渠结构中形成一栅极结构；于沟渠结构内进行一第二离子注入工艺；于去除光致抗蚀剂后在该沟渠结构内进行一第三离子注入工艺；进行一蚀刻工艺；于所得结构的表面上形成一金属层；以及进行一第四光刻蚀刻工艺，去除掉部分金属层。该二极管元件反应速度快，正向导通压降值低，反向偏压漏电流小。

摘要（英）：

The invention discloses a metal oxide semiconductor P-N junction diode and a manufacture method thereof; wherein, the method includes steps as follows: a base plate is provided; a first mask layer is formed on the base plate; first photoetching process is carried out to form a ditch structure on the base plate; first ion implantation process is carried out in the ditch structure; second photoetching process is carried out to form a side wall structure; a second mask layer is formed at the bottom of the ditch structure and on the side wall structure; third photoetching process is carried out to form a grid structure in the ditch structure; second ion implantation process is carried out in the ditch structure; after the removal of a photoresist, third ion implantation process is carried outin the ditch structure; etching process is carried out; a metal layer is formed on the surface of the obtained structure; and fourth photoetching process is carried out to remove partial metal layer.The diode component has high reaction speed, low forward breakover voltage drop value and small reverse bias voltage leakage current.

公开/授权文献

CN101510528B9 金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法公开/授权日：2012-04-11

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8248	......双极和场效应工艺的结合
H01L21/8249	.......双极和MOS工艺