发明授权
- 专利标题: 发光二极管及其形成方法
- 专利标题(英): Light-emitting diode and forming method thereof
-
申请号: CN200810083316.6申请日: 2008-03-05
-
公开(公告)号: CN101527340B公开(公告)日: 2012-03-21
- 发明人: 詹玄塘
- 申请人: 广镓光电股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾台中市
- 专利权人: 广镓光电股份有限公司
- 当前专利权人: 晶元光电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾台中市
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00
摘要:
本发明提供一种发光二极管及其形成方法。本发明的发光二极管包含具有第一基板、第一导电半导体层、发光层及第二导电半导体层的外延芯片;第二基板,承载外延芯片;绝缘层位于第二基板上,绝缘层具有与外延芯片的一侧邻接的第一部分及与外延芯片的另一侧邻接的第二部分;第一电极,位于绝缘层的第一部分上;及第二电极,位于绝缘层的第二部分上,其中第一电极与第二电极分别电连接第一导电半导体层及第二导电半导体层。
公开/授权文献
- CN101527340A 发光二极管及其形成方法 公开/授权日:2009-09-09
IPC分类: