发明公开
- 专利标题： 有序排列、大长宽比、高密度的硅纳米线及其制造方法
- 专利标题（英）： Well-aligned, high aspect-ratio, high-density silicon nanowires and methods of making the same
-
申请号： CN200780037375.3申请日： 2007-10-05
-
公开(公告)号： CN101536187A公开(公告)日： 2009-09-16
- 发明人: 吴永现
- 申请人： 日立化成工业株式会社 , 日立化成研究中心
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日立化成工业株式会社,日立化成研究中心
- 当前专利权人： 日立化成工业株式会社,日立化成研究中心
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京同恒源知识产权代理有限公司
- 代理商 张水俤
- 优先权： 60/849，437 2006.10.05 US
- 国际申请： PCT/US2007/021348 2007.10.05
- 国际公布： WO2008/045301 EN 2008.04.17
- 进入国家日期： 2009-04-07
- 主分类号： H01L27/00
- IPC分类号： H01L27/00
摘要：
一种产生硅纳米线的方法，包括：提供掺杂材料形式的衬底；配制蚀刻溶液；将适当的电流密度施加适当的时间长度。还描述了至少部分地由硅纳米线构成的相关结构和器件。
IPC分类:
