Invention Grant
CN101546720B 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法
- Patent Title (English): Method for detecting residue of photoresist in orifice and corresponding method for measuring strip width of orifice
-
Application No.: CN200910049048.0Application Date: 2009-04-09
-
Publication No.: CN101546720BPublication Date: 2013-10-09
- Inventor: 肖慧敏
- Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
- Applicant Address: 上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区
- Assignee: 上海集成电路研发中心有限公司
- Current Assignee: 上海集成电路研发中心有限公司
- Current Assignee Address: 上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区
- Agency: 上海思微知识产权代理事务所
- Agent 郑玮
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66 ; G01N21/954 ; G01B11/03 ; G01B11/26
Abstract:
本发明提出一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法,所述孔内光刻胶残余的检测方法包括以下步骤:对所述孔的内壁进行扫描;将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点;测量任意三个相邻的所述测量点间形成的朝向所述近似圆形的圆心的夹角的值;将所述夹角和设定的角度参考值做比较,若所述夹角小于所述角度参考值,判断为正常状态,若所述夹角大于所述角度参考值,判断为异常状态,发出警报,本发明可用于检测孔内是否存在光刻胶残余,从而能够尽早的发现问题进行补救,提高了产品的良率。
Public/Granted literature
- CN101546720A 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法 Public/Granted day:2009-09-30
Information query
IPC分类: