- 专利标题: 一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法
- 专利标题(英): Method for detecting surface leakage channel of semiconductor detection device under illumination
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申请号: CN200910050313.7申请日: 2009-04-30
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公开(公告)号: CN101551294A公开(公告)日: 2009-10-07
- 发明人: 陆卫 , 殷豪 , 李天信 , 胡伟达 , 王文娟 , 甄红楼 , 李宁 , 陈平平 , 李志锋 , 陈效双 , 李永富 , 龚海梅
- 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 申请人地址: 上海市玉田路500号
- 专利权人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人地址: 上海市玉田路500号
- 代理机构: 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 郭英
- 主分类号: G01M11/00
- IPC分类号: G01M11/00 ; G01R31/00
摘要:
本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法,该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号,判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据,通过相应的数值模拟,得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性,从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
公开/授权文献
- CN101551294B 一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法 公开/授权日:2010-11-17