一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域和设在原胞区域周围的终端区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括P型柱和N型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有N型重掺杂半导体区，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层，在N型重掺杂半导体区上连接有金属层，其特征在于在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层。