半导体装置及其制造方法

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专利标题： 半导体装置及其制造方法
专利标题（英）： Semiconductor device and method for manufacturing same
申请号： CN200910132739.7

申请日： 2009-04-16
公开(公告)号： CN101562194B

公开(公告)日： 2012-07-04
发明人: 泽田宪
申请人： 索尼株式会社
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 索尼株式会社
当前专利权人： 索尼株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京市柳沈律师事务所
代理商 彭久云
优先权： 107072/08 2008.04.16 JP
主分类号： H01L29/772
IPC分类号： H01L29/772 ; H01L29/06 ; H01L29/36 ; H01L21/335

摘要：

本发明提供半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括鳍场效应晶体管，该鳍场效应晶体管构造为至少包括第一鳍和第二鳍。在该鳍场效应晶体管中，第一鳍的阈值电压和第二鳍的阈值电压彼此不同。

摘要（英）：

The present invention provides a semiconductor device and a method for manufacturing the same. The semiconductor device includes a fin field effect transistor configured to include at least a first fin and a second fin. Threshold voltage of the first fin and threshold voltage of the second fin are different from each other in the fin field effect transistor.

公开/授权文献

CN101562194A 半导体装置及其制造方法公开/授权日：2009-10-21

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管