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CN101584045B 静电放电保护器件以及用于保护半导体器件不受静电放电事件损害的方法 有权

  • 专利标题： 静电放电保护器件以及用于保护半导体器件不受静电放电事件损害的方法
  • 专利标题（英）： Electrostatic discharge protection devices and methods for protecting semiconductor devices against electrostatic discharge events
  • 申请号： CN200780041846.8
    申请日： 2007-09-24
  • 公开(公告)号： CN101584045B
    公开(公告)日： 2011-07-06
  • 发明人: A·萨曼 , S·毕比
  • 申请人： 先进微装置公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 先进微装置公司
  • 当前专利权人： 先进微装置公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
  • 代理商 程伟; 王锦阳
  • 优先权： 11/549,923 2006.10.16 US
  • 国际申请： PCT/US2007/020594 2007.09.24
  • 国际公布： WO2008/048412 EN 2008.04.24
  • 进入国家日期： 2009-05-11
  • 主分类号： H01L27/02
  • IPC分类号： H01L27/02
静电放电保护器件以及用于保护半导体器件不受静电放电事件损害的方法
摘要：
本发明提供用于保护半导体器件不受静电放电事件损害的器件及方法。一种静电放电保护器件(100)包括硅衬底(104)、设置于该硅衬底内的P+型阳极区(116)、以及与该P+型阳极区串联而设置于该硅衬底内的第一N阱器件区(120)。第一P阱器件区(122)与该第一N阱器件区串联而设置于该硅衬底内，且N+型阴极(118)区设置于该硅衬底内。栅电极(114)至少覆于该硅衬底的该第一N阱器件区及该第一P阱器件区上。
摘要（英）：

The present invention provides a method and device for protecting semiconductor devices against electrostatic discharge events. An electrostatic discharge protection device (100) comprises a silicon substrate (104), a P<+>- type anode region (116) disposed within the silicon substrate, and an N-well device region (120) disposed within the silicon substrate in series with the P<+>-type anode region. A first P-well device region (122) is disposed within the silicon substrate in series with the first N-well device region and an N<+>-type cathode region (118) is disposed within the silicon substrate. A gate electrode (114) is disposed at least substantially overlying the first N-well and P-well device regions of the silicon substrate.

公开/授权文献
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