发明授权
CN101587156B 等离子体监测方法和等离子体监测装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 等离子体监测方法和等离子体监测装置
- 专利标题(英): Plasma monitoring method and apparatus
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申请号: CN200910142798.2申请日: 2004-04-26
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公开(公告)号: CN101587156B公开(公告)日: 2011-03-09
- 发明人: 松本直树 , 山泽阳平 , 輿水地盐
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 2003-119279 2003.04.24 JP; 2003-123442 2003.04.28 JP; 2004-009100 2004.01.16 JP; 2004-117817 2004.04.13 JP
- 分案原申请号: 2004100347085 2004.04.26
- 主分类号: G01R31/00
- IPC分类号: G01R31/00 ; G01R23/02 ; G01N23/12 ; G01N21/69 ; G01J3/30
摘要:
本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网络分析器(68)测定复数表示的反射系数,取得其虚部的频率特性,并且测量控制部(74)读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率,根据谐振频率算出电子密度的测定值。
公开/授权文献
- CN101587156A 等离子体监测方法和等离子体监测装置 公开/授权日:2009-11-25