发明授权
CN101587779B 掺杂非金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 掺杂非金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的制备方法
- 专利标题(英): Preparing method of non-metal doped dye sensitization TiO2 nano-crystal thin film photoelectrode
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申请号: CN200910088194.4申请日: 2009-07-13
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公开(公告)号: CN101587779B公开(公告)日: 2011-01-05
- 发明人: 张敬畅 , 李启云 , 杨秀英 , 曹维良 , 李海平
- 申请人: 北京化工大学 , 海南科技职业学院
- 申请人地址: 北京市朝阳区北三环东路15号
- 专利权人: 北京化工大学,海南科技职业学院
- 当前专利权人: 北京化工大学,海南科技职业学院
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北三环东路15号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 刘萍
- 主分类号: H01G9/042
- IPC分类号: H01G9/042 ; H01M14/00 ; H01L51/48
摘要:
本发明属于染料敏化太阳能电池的TiO2纳晶薄膜光电极的制备领域,特别涉及由含有掺杂非金属的大颗粒TiO2纳晶和掺杂非金属的TiO2纳晶颗粒的胶体制备掺杂非金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的方法。本发明制备的光电极是由掺杂非金属的TiO2溶胶和掺杂非金属的TiO2粉体浆料依次旋涂在导电基底上,自然干燥后再进行热处理得到多孔结构纳晶薄膜光电极。掺杂非金属的TiO2纳晶颗粒一方面改变了半导体的性能,作为施主提供更多的载流子进而提高导电率;另一方面可以改变TiO2能带的位置进而提高光电压和光吸收效率。本发明制备方法简单,易于操作,适用于染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的工业化生产制备,也适用于光催化电极、自洁净玻璃等领域。
公开/授权文献
- CN101587779A 掺杂非金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的制备方法 公开/授权日:2009-11-25