发明授权
- 专利标题： 双面离子源
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申请号： CN200810111942.1申请日： 2008-05-19
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公开(公告)号： CN101587815B公开(公告)日： 2011-12-21
- 发明人: 陈志强 , 李元景 , 彭华 , 张清军 , 林津 , 毛绍基 , 代主得 , 曹士娉 , 张仲夏 , 张阳天 , 林德旭 , 王清华 , 王少锋 , 李徽
- 申请人： 同方威视技术股份有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 专利权人： 同方威视技术股份有限公司
- 当前专利权人： 同方威视技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王波波
- 主分类号： H01J49/10
- IPC分类号： H01J49/10 ; H01J37/08 ; H01J27/02 ; H01J49/40
摘要：
公开了一种离子源，包括：板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性；并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。本发明的离子源结构能够增强样品分子的电离效率，形成的样品离子集中分布在源体两侧的扁平空间内，这种离子云分布有利于提高IMS的灵敏度。另外，由于源体本身具有一定的透过率，在源体两侧产生的正负离子可以穿过源体，被分离到源体的两侧，因此能够有效地提高离子的利用效率。
公开/授权文献
- CN101587815A 双面离子源 公开/授权日：2009-11-25
