用于雪崩光电二极管的温度补偿电路
摘要:
本发明公开了一种用于雪崩光电二极管的温度补偿电路,包括:高精度温度传感模块,用于将APD的管芯温度转换成模拟电压信号,其输入端连接APD光探测模块,其输出端连接APD偏压控制单元;APD偏压控制单元,用于将高精度温度传感模块输出的电压信号转换成控制APD的偏压信号;及APD光探测模块,用于反馈管芯温度,并受偏压信号控制使APD的增益恒定,其输入端连接APD偏压控制单元,其输出端连接高精度温度传感模块。本发明利用高压控制器件组成APD偏压控制单元及相关辅助电路模块设计了一种实用的高精度APD偏压控制温度补偿电路,使APD的恒增益工作温度范围:-0℃~+50℃,增益控制精度高于0.5%。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的,例如光敏晶体管
H01L31/101 ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/102 ....仅以一个势垒或面垒为特征的
H01L31/107 .....以雪崩模式工作的势垒,如雪崩光二极管
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