Invention Publication
CN101595241A 溅射方法及溅射装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 溅射方法及溅射装置
- Patent Title (English): Sputter method and sputter device
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Application No.: CN200880003117.8Application Date: 2008-01-25
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Publication No.: CN101595241APublication Date: 2009-12-02
- Inventor: 植田吉彦 , 茂山和基 , 福森弘司
- Applicant: 株式会社大阪真空机器制作所 , 东京毅力科创株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 株式会社大阪真空机器制作所,东京毅力科创株式会社
- Current Assignee: 株式会社大阪真空机器制作所,东京毅力科创株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 雒运朴; 李伟
- Priority: 016723/2007 2007.01.26 JP; 016724/2007 2007.01.26 JP
- International Application: PCT/JP2008/051094 2008.01.25
- International Announcement: WO2008/090982 JA 2008.07.31
- Date entered country: 2009-07-24
- Main IPC: C23C14/56
- IPC: C23C14/56 ; C23C14/34 ; H01L51/50 ; H05B33/10

Abstract:
本发明提供一种溅射方法及溅射装置,其构成简单,能够实现低温低损伤成膜,并且生产性高。本发明是在真空容器内在被成膜对象物上形成初期层后再在初期层上形成第二层的溅射方法,其特征在于,在所述真空容器内,将一对靶子配置为,其表面之间隔开间隔地相互面对,并且该表面朝向配置于靶子间的侧方的被成膜对象物倾斜,在所述一对靶子的对置面侧产生磁场空间而进行溅射,用该被溅射出的溅射粒子在被成膜对象物上形成初期层,再以比初期层的成膜速度快的成膜速度在被成膜对象物上形成第二层。
Public/Granted literature
- CN101595241B 溅射方法及溅射装置 Public/Granted day:2013-09-04
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