利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up
Invention Grant
CN101606235B 低介电常数膜的改性剂及其生产方法 失效 - 权利终止

低介电常数膜的改性剂及其生产方法
Abstract:
公开一种改性剂，其用于降低用于半导体器件的低介电常数膜的相对介电常数。具体地，公开一种用于低介电常数膜的改性剂，其特征在于，其包含由式(1)表示的硅化合物作为有效成分：R3-nHnSiN3？？？？(1)其中R表示C1-C4烷基；n表示0至3的整数。
Abstract(English):

There is provided a modifier for lowering relative dielectric constant of a low dielectric constant film used in semiconductor devices, the modifier of the low dielectric constant film being characterized in that it contains as an effective component a silicon compound represented by formula (1) R 3-n H n SiN 3...(1), wherein R is a C1-C4 alkyl group, and n is an integer of 0-3.

Public/Granted literature
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/312 ......有机层，例如光刻胶（H01L21/3105、H01L21/32优先）
Patent Agency Ranking
0/0