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发明授权
CN101635257B 一种去除磷掺杂多晶硅表面氧化物的方法 有权

一种去除磷掺杂多晶硅表面氧化物的方法
摘要：
本发明涉及一种去除磷掺杂多晶硅表面氧化物的方法，其特征在于，包括先将该多晶硅放入SC1槽进行清洗，而后将该多晶硅放入装有HF水溶液的DHF槽清洗，最后再将该多晶硅放入SC1槽进行清洗，从而使清洗后的多晶硅呈表面亲水性。采用本发明的清洗方法，改变了磷掺杂多晶硅的表面性质，使之由原来的表面斥水性(DHF last)改为表面亲水性(SC1 last)，从而改善了水痕缺陷，提高了产品的合格率。
摘要（英）：

The invention relates to a method for removing oxide on the surface of phosphor doped polysilicon, which is characterized by comprising the following steps: cleaning the polysilicon in an SC1 tank; cleaning the polysilicon in a DHF tank contacting aqueous solution of HF; and finally cleaning the polysilicon in the SC1 tank again; therefore, the cleaned polysilicon has surface hydrophilicity. The cleaning method changes the surface nature of the phosphor doped polysilicon from the prior surface repellency (DHF last) to the surface hydrophilicity (SC1 last) so as to improve water mark defects and improve the qualification rate of products.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
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