发明授权
CN101652876B8 有机杂化平面纳米晶块体异质结
失效 - 权利终止
- 专利标题: 有机杂化平面纳米晶块体异质结
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申请号: CN200780050192.5申请日: 2007-11-13
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公开(公告)号: CN101652876B8公开(公告)日: 2011-12-28
- 发明人: 史蒂芬·R·福里斯特 , 杨帆
- 申请人: 普林斯顿大学理事会 , 密歇根大学董事会
- 申请人地址: 美国新泽西州
- 专利权人: 普林斯顿大学理事会,密歇根大学董事会
- 当前专利权人: 普林斯顿大学理事会,密歇根大学董事会
- 当前专利权人地址: 美国新泽西州
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 关兆辉; 谢丽娜
- 优先权: 11/561,448 2006.11.20 US
- 国际申请: PCT/US2007/023912 2007.11.13
- 国际公布: WO2008/063519 EN 2008.05.29
- 进入国家日期: 2009-07-20
- 主分类号: H01L51/42
- IPC分类号: H01L51/42
摘要:
一种具有改善的杂化平面块体异质结的光敏光电子器件,包括布置在阳极(120)和阴极(170)之间的多种光电导材料(950)。光电导材料(950)包括施体材料的第一连续层(152)和受体材料的第二连续层(154)。施体材料的第一网络(953c)从第一连续层(152)朝向第二连续层(154)延伸,提供了将空穴传导到第一连续层(152)的连续路径。受体材料的第二网络(953b)从第二连续层(154)朝向第一连续层(152)延伸,提供了将电子传导到第二连续层(154)的连续路径。第一网络(953c)和第二网络(953b)相互交错。至少一种其他光电导材料(953a、953d)散布在交错的网络之间。该其他的光电导材料(953a、953d)具有与施体和受体材料不同的吸收光谱。
公开/授权文献
- CN101652876B 有机杂化平面纳米晶块体异质结 公开/授权日:2011-08-03
IPC分类: