发明授权
CN101654810B 在硅片上制备抗反射层的方法
失效 - 权利终止
摘要:
本发明公开了一种在硅片上制备抗反射层的方法,该方法包括制备绒面及电化学刻蚀两步骤,其绒面制备已在该领域广泛应用;电化学刻蚀是将具有绒面结构的硅片装入电化学刻蚀反应装置中,使硅片一面接触饱和食盐水,另一面接触刻蚀液,饱和食盐水接电极正极,刻蚀液接电极负极,反应装置由控制系统(Labview)控制,在控制系统中设定电化学刻蚀参数,开启控制系统,进行电化学刻蚀,在硅片上制得抗反射层。本发明制得的硅片用在太阳能电池中,一方面能降低光的反射,有利于光的吸收,另一方面,由于光电化学刻蚀工艺上的简单性及可重复性,且光电化学刻蚀的工艺成本低,对太阳能电池产业的发展具有极大的促进作用。
公开/授权文献
- CN101654810A 在硅片上制备抗反射层的方法 公开/授权日:2010-02-24
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