发明授权
CN101661983B 发光二极管及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 发光二极管及其制备方法
- 专利标题(英): Light emitting diode (LED) and preparation method thereof
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申请号: CN200810304205.3申请日: 2008-08-26
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公开(公告)号: CN101661983B公开(公告)日: 2012-03-14
- 发明人: 张家寿
- 申请人: 富准精密工业(深圳)有限公司 , 鸿准精密工业股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
- 专利权人: 富准精密工业(深圳)有限公司,鸿准精密工业股份有限公司
- 当前专利权人: 富准精密工业(深圳)有限公司,鸿准精密工业股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00
摘要:
本发明提供一种发光二极管,包括发光二极管晶粒以及封装体,该封装体包括包覆于该发光二极管晶粒外围的第一封装体及散布于第一封装体内的微米级第二封装体颗粒,该微米级第二封装体颗粒内散布有起散射作用的纳米粒子。与现有技术相比,本发明的发光二极管封装体内的纳米粒子具有散射作用,当光线遇到散射粒子时,光线产生多重散射,使得光线被扩散至较宽的角度范围,扩大发光二极管的出射角。本发明还公开一种发光二极管的制备方法。
公开/授权文献
- CN101661983A 发光二极管及其制备方法 公开/授权日:2010-03-03
IPC分类: