Invention Grant
CN101665911B 真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法
- Patent Title (English): Method for preparing giant magnetoresistance films by vacuum vapor deposition method
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Application No.: CN200810120431.6Application Date: 2008-09-04
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Publication No.: CN101665911BPublication Date: 2013-09-04
- Inventor: 彭保进 , 应朝福 , 万旭 , 叶晶 , 刘蕴涛
- Applicant: 浙江师范大学
- Applicant Address: 浙江省金华市迎宾大道688号
- Assignee: 浙江师范大学
- Current Assignee: 浙江师范大学
- Current Assignee Address: 浙江省金华市迎宾大道688号
- Agency: 浙江杭州金通专利事务所有限公司
- Agent 程皓
- Main IPC: C23C14/24
- IPC: C23C14/24 ; C23C14/54 ; G02B1/10

Abstract:
本发明涉及一种真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法。它采用可蒸镀各种高低熔点的金属和氧化物材料的真空镀膜机,SiO2基片经抛光打磨;氨水:双氧水:去离子水混合液煮沸,去离子水冲净;盐酸:双氧水:去离子水混合液煮沸去离子水冲净;超声波和无超声波去离子水介质常温、加温抛洗;入氮气炉烘干;在真空舱内离子枪轰击表面清洗。在低气压环境下,对玻璃基片附加磁铁,使待镀玻璃基片在镀膜的整个过程始终处于稳定磁场当中,并用补偿式控制蒸镀薄膜材料的原子量比,使蒸镀制得的成品薄膜的合金成分与期望比例一致性好的短方向具有横向单轴磁各向异性的薄膜。具有工艺简单易行,制备成本低廉,成品薄膜的合金成分与期望比例一致性好,制得的FeSiB薄膜均匀、致密、稳定、牢固的特点。
Public/Granted literature
- CN101665911A 真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法 Public/Granted day:2010-03-10
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